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19 Février 2015 - dépannage, maintenance, suppression de virus et formation informatique sur Paris

Semi-conducteurs : Samsung met fin à l’avance technologique en production d’Intel. Intel perdrait ainsi son principal atout dans sa conquête du marché des mobiles.

Photo Frédéric Hourdeau

News

le 19/02/2015 à 18h55

Semi-conducteurs Samsung

En lançant la fabrication de processeurs avec des transistors 3D et une gravure de 14 nm (1), le géant coréen Samsung rattrape son retard technologique avec Intel dans la production de puces électroniques.


L’avance historique d’Intel dans les technologies de production de puces électroniques est terminée.

Samsung qui vient d’y mettre fin, en lançant la fabrication, en Corée du Sud, de processeurs avec la technologie FinFET de transistors en 3D et une gravure de 14 nm.

Jusqu’ici, Intel avait une avance de deux générations technologiques sur le reste de l’industrie des semi-conducteurs :

-         une génération avec des transistors 3D dit FinFET (2)

-         une autre avec une gravure de 14 nm, un procédé en production à grand volume depuis juillet 2014.

Les procédés les plus avancés chez ses grands concurrents se contentaient de transistors planaires et d’une gravure de 20 nm.

Etant désormais le plus gros investisseur de l’industrie des semi-conducteurs avec près de 13 milliards de dollars prévus en 2015 (alors qu’il est deux fois plus petit qu’Intel en termes de chiffre d’affaires), Samsung a tout mis en œuvre pour être le premier groupe à établir la parité technologique avec Intel, le groupe américain numéro un mondial du secteur et dominant le marché des processeurs au cœur des PC et serveurs.

Un partenariat à trois dans le cadre de l’alliance Common Platform:

Mais il est à souligner que son procédé FinFET en 14 nm a été développé conjointement avec GlobalFoundries et IBM dans le cadre de l’alliance Common Platform.

Il devrait entrer en production aussi chez le fondeur américain GlobalFoundries.

Le fondeur taïwanais TSMCdevrait se joindre au club fin 2015 mais avec une gravure de 16 nm.

Samsung démarre sa production avec son nouveau processeur d’application Exynos 7 Octa, qui pourrait équiper sa prochaine génération de smartphone, le Galaxy S6, au lieu et place des puces SnapDragon de Qualcomm.

Mais Samsung et GlobalFoundries vont exploiter le nouveau procédé aussi pour la fabrication de la prochaine génération de processeur A9 d’Apple, dont ils auraient reçu 70 % des volumes, les 30 % restants étant confiés à TSMC, selon le cabinet Digitimes.

La recomposition du Marché . Les perdants :

ð Intel misait jusqu’ici sur son avance en production pour s’imposer dans les mobiles, un marché dans lequel il a perdu 4,2 milliards de dollars en 2014.

Il devra se battre maintenant à arme égale avec Samsung, Qualcomm et autre MediTek, licenciés de l’architecture de processeur du britannique ARM.

ð Pour Intel, l’autre conséquence négative concerne la fonderie, activité de sous-traitance de fabrication de puces pour d’autres qu’il développe depuis deux ans pour remplir ses usines en sous charge en raison du déclin du marché des PC.

Il aura ainsi plus de mal à attirer des grandes sociétés « fabless » (sans usines) comme Apple, Qualcomm ou Nvidia, clients traditionnels de Samsung et TSMC.

ð Enfin, l’entrée en production de la technologie FinFET de 14 nm chez Samsung est une mauvaise nouvelle pour STMicroelectronics et Soitec avec leur technologie FD-SOI.

Le groupe coréen dispose d’une licence de la technologie française. Mais pour l’heure, il semble privilégier son alternative américaine : elle est  en effet demandée par ses gros clients comme Apple ou Qualcomm.


(1)             Le Core du processeur possède une finesse de gravure, généralement exprimée en nanomètres (nm). Cela influe sur la dissipation thermique. Ce niveau ne cesse d’évoluer, en 2003 on se contentait du 130 nm, alors que depuis fin 2005 le 45 nm est apparu.

(2)         Transistors FinFET

Transistors « Tri-Gate » en 3 dimensions. Alors qu'antérieurement les transistors possédaient une structure planaire, la source et le drain de ces nouveaux transistors Tri-Gate sont désormais « encastrés » dans la grille au lieu d’être simplement placé dessous.

Basé sur un substrat SOI (silicium sur isolant), les transistors FinFET permettent une limitation du courant de fuite d'électrons, générateur de pertes énergétiques. Le surcoût de production serait d’environ 10 %, au bénéfice d’une efficacité énergétique supérieure selon ses promoteurs.


Voir par ailleurs notre article :

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