La capacité maximale de stockage des terminaux mobiles va ainsi doubler avec un  débit qui s'approche de plus en plus de ceux des SSD.

Alors que la plupart des constructeurs d'appareils mobiles utilisent de la mémoire fonctionnant sur un protocole eMMC un autre protocole nommé UFS existe.

Dérivé du protocole SCSI, le protocole nommé UFS permet notamment d'obtenir de la mémoire au débit bien plus élevé que sur les mémoires de type eMMC.

On parle ici d'une bande passante théorique maximale de 1,2 Go/s en UFS 2.0 contre 600 Mo/s en eMMC 5.1.

A noter toutefois que les puces UFS 2.0 peuvent fonctionner sur une ou deux lignes.

Sur une seule ligne, le maximum n'est que de 600 Mo/s.

Samsung propose désormais un modèle de 256 Go, le maximum étant jusqu'à présent de 128 Go tous protocoles confondus.

Cette puce utilise de la V-NAND, c'est-à-dire de la mémoire avec des cellules empilées verticalement de manière à obtenir une meilleure densité.

Le coréen annonce  850 Mo/s en lecture séquentielle, soit bien plus que la majorité des SSD, les modèles 2,5" culminant à 500 Mo/s.

Les accès aléatoires restent également de bon niveau (même s’ils sont  inférieurs à ceux des SSD) puisque l’on parle de 45 000 et 40 000 IOPS en lecture et écriture aléatoire.

Globalement, par exemple, ces débits sont deux fois supérieurs à ceux de la puce mémoire intégrée au Samsung Galaxy S6.

(On rappellera que celui-ci utilise une puce UFS 2.0, mais fonctionnant sur une seule ligne).

Ceci s’annonce très positif pour le futur Galaxy S8 ou les autres terminaux haut de gamme qui en seront équipé.

(NB): A noter que la majorité des disques durs dit « mécaniques » tournent à 150mo/s dans les ordinateurs fixes ou portables.

On peut donc s’interroger sur l’intérêt d’aller plus vite si le disque derrière ne suit pas.